米インテル、1平方マイクロメートルのSRAMセルを開発

インテル(株)の13日付けの発表によると、米インテル社は現地時間の12日、1μm²(平方マイクロメートル)の世界最小のSRAM(Static Random Access Memory)セルを開発したと発表した。

開発した52Mbitチップ(左は10セント硬貨)

開発したメモリーセルは、次世代の90nmプロセス技術を採用したSRAMチップのセルで、完全に動作しているという。同社では、プロセッサーやチップセット、コミュニケーション製品などさまざまな製品を、300mmウエハーを使用し、90nmプロセス技術で製造する予定。今回の発表により、90nmプロセス技術の開発が、2003年の量産に向けて順調に進んでいることが示されたとしている。

同社の52MbitのSRAMチップは、109mm²のチップ上に、3億3000万個のトランジスターを集積している。300mmウエハーの量産開発ファブ(D1C)において、193nmおよび248nmのリソグラフィーツールを組み合わせて製造された。

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