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東芝、1GbitのNAND型フラッシュメモリーをサンプル出荷

2001年11月12日 23時46分更新

文● 編集部

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(株)東芝は12日、米サンディスク社と共同で、多値技術を利用した1GbitのNAND型フラッシュメモリーを開発し、製品化したと発表した。48ピンのTSOPパッケージ製品『TC58010FT』のサンプル出荷を同日付けで開始する。サンプル価格は1万円。2002年初めに量産出荷を開始する。

『TC58010FT』
『TC58010FT』

『TC58010FT』は、メモリーセルごとに“0”“1”の2つの値をとる2値技術ではなく、“0/0”“0/1”“1/0”“1/1”の4つのいずれかの値をとることで2bitのデータを記録する、多値技術を採用したNAND型のフラッシュメモリー。同社では、0.16μmプロセスで製造している512MbitのNAND型フラッシュメモリーに多値化技術を適用し、容量を1Gbitとした。電源電圧は2.7~3.6V。ページサイズは512+16B、ブロックサイズは32KB。プログラム時間はページ当たり1ミリ秒で、消去時間はブロック当たり2ミリ秒。アクセス時間は、50μ秒(ファースト)、50ナノ秒(シリアル)。

同社は、併せて、1GbitのNAND型フラッシュメモリーを2個積層し、2Gbitの容量を持たせたTSOPパッケージ製品『TC58020FT』の開発を進めており、12月にサンプル出荷を開始する予定。サンプル価格は2万円。

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