インテル(株)の12日付けの発表によると、米半導体業界と米政府関連団体は、現地時間の11日、極紫外線(EUV:Extreme Ultra Violet)露光技術に対応した半導体製造装置の試作機を完成したと発表した。
同技術は、現在の最高性能のコンピューターチップより、10倍以上高速なマイクロプロセッサーや、10倍以上記憶容量の大きいメモリーを実現する半導体製造技術。露光技術は、半導体設計回路をマイクロチップに転写するために使用される。現在の露光技術では、0.1μmの微細回路の製造まで対応できると予測されているが、EUVでは、0.1μm以下から0.03μm程度の微細回路まで製造できるようになるという。同技術により、動作周波数が10GHzを超えるプロセッサーが2005～6年ごろに登場すると期待されている。
今回発表された試作機は、ETS(エンジニアリングテストスタンド)と呼ばれる。ETSを開発したのは、米インテル社/米AMD社/米モトローラ社/米マイクロンテクノロジー社/独インフィニオンテクノロジーズ社/米IBM社といった半導体企業で組織された業界コンソーシアム“EUV LLC”と、米国エネルギー省管轄のローレンスリバモア国立研究所/サンディア国立研究所/ローレンスバークレイ国立研究所の3つの研究所。EUV LLCは、EUV露光技術に特化した研究を行なうために、100パーセント業界各社の出資により、1997～2002年初頭までの期限付きで設立された。
EUV LLC参加企業と露光装置メーカーは、来年にかけて、実用的な半導体の量産に対応できる商用装置の試作を進めていくという。
