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富士通がテラビット級メモリーデバイス開発の基礎となる、新型量子ドットメモリー素子の開発に成功

1998年12月11日 00時00分更新

文● 報道局 西川ゆずこ

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 富士通(株)は、量子ドット(電子を閉じこめる超微細な半導体の箱)を、フローティングゲートとして用いた、新型量子ドットメモリーセルの作成に成功したと発表した。21世紀に期待される、テラビット級メモリー素子である0.01μm(現在の半導体素子の約100分の1)ULSI実現のためのキーデバイスとしての可能性を持つという。

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