日本サムスン(株)は11日、韓国のサムスン電子が64KbitのFRAMのサンプル出荷を9日(現地時間)に開始したと発表した。FRAM(Ferroelectric RAM/FeRAM:強誘電体メモリー半導体) は、大容量のデータ記憶が可能なDRAMと、高速で動作するSRAM、電源が切れてもデータが消えないフラッシュメモリーの性質をもつ、メモリー半導体の1種。同社が出荷を開始するFRAMは、1個のトランジスターに1個のキャパシティを組み合わせたセル構造(1T/1C)を採用。また二重金属配線工程を採用した。これにより従来のFRAMに比べ、動作速度が2倍になり、記憶容量も増大したとしている。今後、ポータブル製品用に4Mbit、16MbitなどのFRAMの開発も進めていくという。