サムスン電子、1Gbitのフラッシュメモリーを開発

日本サムスン(株)は、韓国のサムスン電子社が現地時間の14日付けで、容量が1Gbitのフラッシュメモリーを開発したと発表した。試作したフラッシュメモリーは、0.15μmプロセスで製造されたNAND型で、動作電圧は、2.7～3.6Vで消費電力は66mW。読み出しが50nS、書き込みが200μS、削除が2mSとなっている。同製品は、既存のDRAM製造技術を利用しており、開発期間は6ヵ月という。今後、同一のプロセスを利用して、256Mbit、512Mbit製品の開発を行なうという。同社では、デジタルカメラ、MP3プレーヤー、携帯型情報機器などへの利用を見込んでいる。

• 日本サムスンのプレスリリース