日本電気、0.13μmの半導体製造プロセス“UX4”を開発

日本電気(株)は4日、インターネット産業向けのシステムLSI製造に利用する半導体製造プロセスとして、0.13μmのCMOSプロセス“0.13μm Multi-Feature Process UX4”を開発するとともに、同プロセスを利用したシステムLSIを今月から順次製品化すると発表した。

開発したプロセスは、高速、標準、低消費電力の3種類のトランジスタを同一のプロセスで製造できる“Vt選択方式”を採用。従来の0.18μmプロセスと比べて、1GHz以上の周波数で動作するLSIの消費電力を半分にできるほか、IPコアの移植も容易になるという。

同社では、64bitプロセッサーの『VRシリーズ』や32bit組み込みプロセッサーの『V850シリーズ』、デジタル家電用システムLSI、ネットワーク機器用LSI、PC周辺/ゲーム用システムLSIなど、幅広い製品への適用を予定しているという。

現在、開発試作をNEC相模原工場で行なっており、受注が好調なことから、今年度の設備投資を1300億円から1500億円に増額するとしている。

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